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產品描述
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中文名 |
化學式 |
CAS號 |
英文簡稱 |
英文名 |
類別 |
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四（二甲胺）鉿 |
C8H24HfN4 |
19962-11-9 |
TDMAH |
Tetrakis(diethylamion)hafnium |
前驅體 |
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四（二甲胺）鉿 （TDMAH） |
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化學式 |
C8H24HfN4 |
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中文名稱 |
四（二甲胺）鉿 |
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英文名稱 |
Tetrakis(diethylamion)hafnium |
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CAS No. |
19962-11-9 |
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分子量 |
354.79 |
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應用 |
主要用于CVD和ALD的前驅體材料，用于沉積鉿的前驅物，制備鉿氧化物薄膜；可以用于COMS和下一代DRAM的高k絕緣材料，廣泛應用于45nm下直至7nm技術等先進CMOS集成電路技術中。 其應用于新型阻變/憶阻器件(RRAM)研究中，可展現良好的微縮特性，還可在10nm尺度下保持良好的阻變特性；在鐵電存儲器件(FeRAM)、鐵電場效應晶體管(FeFET)、鐵電負電容晶體管(NC-FET)、鐵電隧道結等新功能器件制造方面表現出良好的微縮特性，為類腦型神經形態計算等變革性技術研究與發展提供新的途徑。 還可替代二氧化硅，作為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的柵極。 |
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產品規格 |
6N（99.9999%） |
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